大家好，来看一则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司(sī)在华销售的产品未(wèi)通过网络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信(xìn)办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安全审查(chá)办公室(shì)依(yī)法对(duì)美光公司在(zài)华销售产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链造成重(zhòng)大安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办公室依法作出不予通过网络安全(quán)审(shěn)查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施(shī)的运(yùn)营者应(yīng)停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司产品进行网络安全审查，目的(de)是防范(fàn)产品网络安全(quán)问题危(wēi)害国家关键信息基础设(shè)施安(ān)全，是(shì)维(wéi)护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平对外开(kāi)放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共(gòng)和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来(lái)自(zì)中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根(gēn)据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际存储厂商为公(gōng)司(sī)供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已(yǐ)经显著下(xià)降，至少已经不是主要(yào)大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波(bō)龙第一(yī)大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三(sān)大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西(xī)部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期(qī)合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储(陈奕迅《是但求其爱》歌词是什么，陈奕迅《是但求其爱》歌词是什么歌chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔(kǒng)或(huò)者(zhě)沟(gōu)槽，催生更(gèng)多(duō)设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收入增长。

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